produkty

Do domu > produkty > Micron ISSI Samsung > RÓWNOLEGŁA Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P

Kategorie

Układy scalone komponentów elektronicznych

(48940)

Firma Texas Instruments National Semiconductor

(1485)

Komponenty elektroniczne Infineon

(161)

Komponenty elektroniczne firmy Atmel

(127)

Rezystory i kondensatory

(3013)

Kontakty

Kontakty: Miss. Abby

Tel.: 86-130-4904-4451

Faks:

Skontaktuj się teraz

Wyślij nam wiadomość.

RÓWNOLEGŁA Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P

Name: RÓWNOLEGŁA Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P
Brand: ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
SKU: MT41K256M16TW-107 IT:P
Price: 2.98 USD
Availability: InStock

Szczegóły produktu

Miejsce pochodzenia: USA

Nazwa handlowa: Micron

Numer modelu: MT41K256M16TW-107 IT:P

Warunki płatności i wysyłki

Minimalne zamówienie: 1

Cena: 0.98-5.68/PC

Szczegóły pakowania: STANDARDOWE

Zasady płatności: D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Możliwość Supply: 10000 sztuk tygodniowo

Najlepszą cenę

Szczegóły produktu

Opis produktu

Podkreślić: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                Merrillchip Micron ISSI Samsung, Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT, 4GBIT mt41k256m16tw 107 to p
                              

Kategoria produktu:	MIKRON	Seria:	MT41K256M16TW-107 IT:P
Styl montażu:	SMD/SMT	Opakowanie / Sprawa:	TQFP-64
Rdzeń:	AVR	Rozmiar pamięci programu:	16kB
Szerokość magistrali danych:	8 bitowy	Rozdzielczość ADC:	10 bitów
Maksymalna częstotliwość zegara:	16MHz	Liczba wejść/wyjść:	54 we/wy
Rozmiar pamięci RAM danych:	1 kB	Napięcie zasilania — min:	1,8 V
Napięcie zasilania — maks:	5,5 V	Minimalna temperatura pracy:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 85 C	opakowanie:	MyszReel
Marka:	MIKRON	Typ pamięci RAM danych:	SRAM
Rozmiar pamięci ROM danych:	512 b

Kategoria produktu:	MIKRON
Seria:	MT41K256M16TW-107 IT:P
Styl montażu:	SMD/SMT
Opakowanie / Sprawa:	TQFP-64
Rdzeń:	AVR
Rozmiar pamięci programu:	16kB
Szerokość magistrali danych:	8 bitowy
Rozdzielczość ADC:	10 bitów
Maksymalna częstotliwość zegara:	16MHz
Liczba wejść/wyjść:	54 we/wy
Rozmiar pamięci RAM danych:	1 kB
Napięcie zasilania — min:	1,8 V
Napięcie zasilania — maks:	5,5 V
Minimalna temperatura pracy:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 85 C
opakowanie:	MyszReel
Marka:	MIKRON
Typ pamięci RAM danych:	SRAM
Rozmiar pamięci ROM danych:	512 b

RÓWNOLEGŁA Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P

Merrillchip gorąca sprzedaż układy scalone IC DRAM 4GBIT równoległy układ scalony pamięć Flash EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 I RÓWNOLEGŁA Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P 0

RÓWNOLEGŁA Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P 1

RÓWNOLEGŁA Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P 2

MT41K256M16TW-107 IT:P

DDR3 SDRAM wykorzystuje architekturę o podwójnej szybkości transmisji danych, aby osiągnąć wysoką prędkość działania.Architektura podwójnej szybkości transmisji danych jest
Architektura 8n-prefetch z interfejsem zaprojektowanym do przesyłania dwóch słów danych na cykl zegara na pinach I/O.
Pojedyncza operacja odczytu lub zapisu pamięci DDR3 SDRAM w rzeczywistości składa się z pojedynczego transferu danych o szerokości 8 n bitów w czterech cyklach zegara
w wewnętrznym rdzeniu DRAM i ośmiu odpowiadających n-bitowych transferach danych w jednym półcyklu na pinach I/O.The
różnicowy stroboskop danych (DQS, DQS #) jest przesyłany na zewnątrz wraz z danymi do wykorzystania w przechwytywaniu danych na wejściu DDR3 SDRAM
odbiorca.DQS jest wyśrodkowany z danymi dla WRITE.

	
			Producent:

			Technologia mikronowa

			Kategoria produktu:

			NAPARSTEK

			RoHS:

			Detale

			Typ:

			SDRAM - DDR3L

			Styl montażu:

			SMD/SMT

			Opakowanie / etui:

			FBGA-96

			Szerokość magistrali danych:

			16 bitów

			Organizacja:

			256 M x 16

			Rozmiar pamięci:

			4 Gb

			Maksymalna częstotliwość zegara:

			933MHz

			Czas dostępu:

			20 sekund

			Napięcie zasilania — maks.:

			1,45 V

			Napięcie zasilania — min.:

			1,283 V

			Prąd zasilania — maks.:

			46 mA

			Minimalna temperatura robocza:

			- 40 C

			Maksymalna temperatura robocza:

			+ 95 C

			Seria:

			MT41K

			Opakowanie:

			Taca

			Marka:

			Mikron

			Wrażliwy na wilgoć:

			Tak

			Rodzaj produktu:

			NAPARSTEK

			Fabryczna ilość w opakowaniu:

			1224

			Podkategoria:

			Pamięć i przechowywanie danych

			Masa jednostkowa:

			0,128468 uncji

 
Często zadawane pytaniaP1: O wycenie IC BOM?A1: Firma posiada kanały zaopatrzenia oryginalnych producentów układów scalonych w kraju i za granicą oraz profesjonalny zespół analizy rozwiązań produktowych w celu wybrania wysokiej jakości, tanich komponentów elektronicznych dla klientów.
P2: Oferta na rozwiązania PCB i PCBA? 
A2: Profesjonalny zespół firmy przeanalizuje zakres zastosowań rozwiązań PCB i PCBA dostarczonych przez klienta oraz wymagania dotyczące parametrów każdego elementu elektronicznego, a ostatecznie zapewni klientom wysokiej jakości i tanie rozwiązania ofertowe.
P3: O projekcie chipa do gotowego produktu?
A3: Posiadamy kompletny zestaw do projektowania płytek, produkcji płytek, testowania płytek, pakowania i integracji układów scalonych oraz usług kontroli produktów IC.
P4: Czy nasza firma ma wymagania dotyczące minimalnej ilości zamówienia (MOQ)?
A4: Nie, nie mamy wymogu MOQ, możemy wspierać Twoje projekty, począwszy od prototypów po produkcję masową.
P5: Jak zapewnić, że informacje o klientach nie wyciekną? 
O5: Jesteśmy gotowi podpisać efekt NDA zgodnie z lokalnymi przepisami po stronie klienta i obiecujemy zachować wysoki poziom poufności danych klientów.

Tags:

ORIGINAL IC Mosfet tranzystor 2sc5200 2sa909 A1943 C5200 2sa1943 Audio Pair 2sa 1943 sc5200 5200 w magazynie Tranzystory dwubiegunowe

Najlepszą cenę

Producent:	Technologia mikronowa
Kategoria produktu:	NAPARSTEK
RoHS:	Detale
Typ:	SDRAM - DDR3L
Styl montażu:	SMD/SMT
Opakowanie / etui:	FBGA-96
Szerokość magistrali danych:	16 bitów
Organizacja:	256 M x 16
Rozmiar pamięci:	4 Gb
Maksymalna częstotliwość zegara:	933MHz
Czas dostępu:	20 sekund
Napięcie zasilania — maks.:	1,45 V
Napięcie zasilania — min.:	1,283 V
Prąd zasilania — maks.:	46 mA
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 95 C
Seria:	MT41K
Opakowanie:	Taca
Marka:	Mikron
Wrażliwy na wilgoć:	Tak
Rodzaj produktu:	NAPARSTEK
Fabryczna ilość w opakowaniu:	1224
Podkategoria:	Pamięć i przechowywanie danych
Masa jednostkowa:	0,128468 uncji

Układy scalone komponentów elektronicznych

ST ICS

RENESAS IC

Urządzenia analogowe ADI

Firma Texas Instruments National Semiconductor

ON Semiconductor Fairchild

Półprzewodnik Freescale

Vishay IC

Komponenty elektroniczne Infineon

Układy scalone IC

AOS IC

Komponenty elektroniczne firmy Atmel

Altera Chip

Xilinx IC

Mikrokontroler MCU

Micron ISSI Samsung

Tranzystor diodowy triodowy

ROHM UTC ICS

Układ scalony mikroczipa

Rezystory i kondensatory

RÓWNOLEGŁA Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P

Merrillchip Micron ISSI Samsung

Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT

4GBIT mt41k256m16tw 107 to p

Często zadawane pytania

IS61C3216AL Micron ISSI Samsung,

zintegrowany układ scalony Ic VFBGA-63,

Układy scalone komponentów elektronicznych

ST ICS

RENESAS IC

Urządzenia analogowe ADI

Firma Texas Instruments National Semiconductor

ON Semiconductor Fairchild

Półprzewodnik Freescale