logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
produkty
produkty
Do domu > produkty > Micron ISSI Samsung > RÓWNOLEGŁA Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P

RÓWNOLEGŁA Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P

Szczegóły produktu

Miejsce pochodzenia: USA

Nazwa handlowa: Micron

Numer modelu: MT41K256M16TW-107 IT:P

Warunki płatności i wysyłki

Minimalne zamówienie: 1

Cena: 0.98-5.68/PC

Szczegóły pakowania: STANDARDOWE

Zasady płatności: D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Możliwość Supply: 10000 sztuk tygodniowo

Najlepszą cenę
Podkreślić:

Merrillchip Micron ISSI Samsung

,

Mikron ISSI Samsung DRAM 4GBIT

,

4GBIT mt41k256m16tw 107 it p

Kategoria produktu:
MIKRON
Zestaw:
MT41K256M16TW-107 IT:P
Styl montażu:
SMD/SMT
Opakowanie / Pudełko:
TQFP-64
Rdzeń:
AVR
Rozmiar pamięci programu:
16kB
Szerokość magistrali danych:
8 bitowy
Rozdzielczość ADC:
10 bitów
Maksymalna częstotliwość zegara:
16MHz
Liczba wejść/wyjść:
54 we/wy
Rozmiar pamięci RAM danych:
1 kB
Napięcie zasilania — min:
1,8 V
Napięcie zasilania — maks:
5,5 V
Minimalna temperatura pracy:
- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:
+ 85 C
Opakowanie:
MyszReel
Marka:
MIKRON
Typ pamięci RAM danych:
SRAM
Rozmiar pamięci ROM danych:
512 b
Kategoria produktu:
MIKRON
Zestaw:
MT41K256M16TW-107 IT:P
Styl montażu:
SMD/SMT
Opakowanie / Pudełko:
TQFP-64
Rdzeń:
AVR
Rozmiar pamięci programu:
16kB
Szerokość magistrali danych:
8 bitowy
Rozdzielczość ADC:
10 bitów
Maksymalna częstotliwość zegara:
16MHz
Liczba wejść/wyjść:
54 we/wy
Rozmiar pamięci RAM danych:
1 kB
Napięcie zasilania — min:
1,8 V
Napięcie zasilania — maks:
5,5 V
Minimalna temperatura pracy:
- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:
+ 85 C
Opakowanie:
MyszReel
Marka:
MIKRON
Typ pamięci RAM danych:
SRAM
Rozmiar pamięci ROM danych:
512 b
RÓWNOLEGŁA Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P

Gorąca wyprzedaż Merrillchip Układy scalone Układy scalone DRAM 4GBIT PARALLEL Układ scalony Pamięć Flash EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IRÓWNOLEGŁA Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P 0

RÓWNOLEGŁA Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P 1

RÓWNOLEGŁA Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P 2

MT41K256M16TW-107 IT:P
DDR3 SDRAM wykorzystuje architekturę podwójnej szybkości transmisji danych, aby osiągnąć szybką pracę. Architektura podwójnej szybkości transmisji danych to
architektura 8n-prefetch z interfejsem zaprojektowanym do przesyłania dwóch słów danych na cykl zegara na pinach I/O.
Pojedyncza operacja odczytu lub zapisu dla DDR3 SDRAM efektywnie składa się z pojedynczego 8n-bitowego, czterocyklowego transferu danych
w rdzeniu wewnętrznego DRAM i ośmiu odpowiadających im n-bitowych, półcyklowych transferów danych na pinach I/O.
Różnicowy strob danych (DQS, DQS#) jest przesyłany zewnętrznie, wraz z danymi, do wykorzystania w przechwytywaniu danych na wejściu DDR3 SDRAM
odbiornika. DQS jest wyśrodkowany z danymi dla ZAPISÓW.
Producent:
Micron Technology
 
Kategoria produktu:
DRAM
 
RoHS:
Szczegóły
 
Typ:
SDRAM - DDR3L
 
Styl montażu:
SMD/SMT
 
Pakiet / Obudowa:
FBGA-96
 
Szerokość magistrali danych:
16 bitów
 
Organizacja:
256 M x 16
 
Rozmiar pamięci:
4 Gbit
 
Maksymalna częstotliwość zegara:
933 MHz
 
Czas dostępu:
20 ns
 
Napięcie zasilania - Maks.:
1.45 V
 
Napięcie zasilania - Min.:
1.283 V
 
Prąd zasilania - Maks.:
46 mA
 
Minimalna temperatura pracy:
- 40 C
 
Maksymalna temperatura pracy:
+ 95 C
 
Seria:
MT41K
 
Opakowanie:
Tacka
 
Marka:
Micron
 
Wrażliwość na wilgoć:
Tak
 
Typ produktu:
DRAM
 
Ilość w opakowaniu fabrycznym:
1224
 
Podkategoria:
Pamięć i przechowywanie danych
 
Waga jednostkowa:
0.128468 oz
RÓWNOLEGŁA Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P 3

RÓWNOLEGŁA Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P 4

RÓWNOLEGŁA Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P 5

RÓWNOLEGŁA Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P 6

RÓWNOLEGŁA Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P 7

RÓWNOLEGŁA Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P 8

RÓWNOLEGŁA Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P 9RÓWNOLEGŁA Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P 10

 

FAQ

P1: O wycenie BOM układów scalonych?
A1: Firma posiada kanały zaopatrzenia oryginalnych producentów układów scalonych w kraju i za granicą oraz profesjonalny zespół analizy rozwiązań produktowych, aby wybierać wysokiej jakości, tanie komponenty elektroniczne dla klientów.
P2: Wycena rozwiązań PCB i PCBA?
A2: Profesjonalny zespół firmy przeanalizuje zakres zastosowania rozwiązań PCB i PCBA dostarczonych przez klienta oraz wymagania dotyczące parametrów każdego komponentu elektronicznego, a ostatecznie zapewni klientom wysokiej jakości i tanie rozwiązania wyceny.
P3: O projekcie układu scalonego do gotowego produktu?
A3: Posiadamy pełny zestaw usług projektowania płytek, produkcji płytek, testowania płytek, pakowania i integracji układów scalonych oraz inspekcji produktów układów scalonych.
P4: Czy nasza firma ma wymagania dotyczące minimalnej ilości zamówienia (MOQ)?
A4: Nie, nie mamy wymagań MOQ, możemy wspierać Twoje projekty począwszy od prototypów po masową produkcję.
P5: Jak zapewnić, że informacje o kliencie nie zostaną ujawnione?
A5: Jesteśmy gotowi podpisać umowę NDA obowiązującą zgodnie z lokalnym prawem klienta i obiecujemy zachować dane klientów na wysokim poziomie poufności.
RÓWNOLEGŁA Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P 11