produkty

Do domu > produkty > Vishay IC > Stockowy układ pamięci Vishay IC Ic IS62WV51216BLL-55TLI obsługuje IC BOM

Kategorie

Układy scalone komponentów elektronicznych

(48940)

Firma Texas Instruments National Semiconductor

(1485)

Komponenty elektroniczne Infineon

(161)

Komponenty elektroniczne firmy Atmel

(127)

Rezystory i kondensatory

(3013)

Kontakty

Kontakty: Miss. Abby

Tel.: 86-130-4904-4451

Faks:

Skontaktuj się teraz

Wyślij nam wiadomość.

Stockowy układ pamięci Vishay IC Ic IS62WV51216BLL-55TLI obsługuje IC BOM

Name: Stockowy układ pamięci Vishay IC Ic IS62WV51216BLL-55TLI obsługuje IC BOM
Brand: ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
SKU: SI2301CDS-T1-GE3
Price: 2.98 USD
Availability: InStock

Szczegóły produktu

Miejsce pochodzenia: USA

Nazwa handlowa: VISHAY

Numer modelu: SI2301CDS-T1-GE3

Warunki płatności i wysyłki

Minimalne zamówienie: 1

Cena: 0.98-5.68/PC

Szczegóły pakowania: STANDARDOWE

Zasady płatności: D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Możliwość Supply: 10000 sztuk tygodniowo

Najlepszą cenę

Szczegóły produktu

Opis produktu

Podkreślić: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                Zdjęcie Vishay IC, układ pamięci Ic IS62WV51216BLL-55TLI, układ pamięci Ic BOM
                              

Kategoria produktu:	Wiszaj	Seria:	SI2301CDS-T1-GE3
Styl montażu:	SMD/SMT	Opakowanie / Sprawa:	TQFP-64
Rdzeń:	AVR	Rozmiar pamięci programu:	16kB
Szerokość magistrali danych:	8 bitowy	Rozdzielczość ADC:	10 bitów
Maksymalna częstotliwość zegara:	16MHz	Liczba wejść/wyjść:	54 we/wy
Rozmiar pamięci RAM danych:	1 kB	Napięcie zasilania — min:	1,8 V
Napięcie zasilania — maks:	5,5 V	Minimalna temperatura pracy:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 85 C	opakowanie:	MyszReel
Marka:	Wiszaj	Typ pamięci RAM danych:	SRAM
Rozmiar pamięci ROM danych:	512 b

Kategoria produktu:	Wiszaj
Seria:	SI2301CDS-T1-GE3
Styl montażu:	SMD/SMT
Opakowanie / Sprawa:	TQFP-64
Rdzeń:	AVR
Rozmiar pamięci programu:	16kB
Szerokość magistrali danych:	8 bitowy
Rozdzielczość ADC:	10 bitów
Maksymalna częstotliwość zegara:	16MHz
Liczba wejść/wyjść:	54 we/wy
Rozmiar pamięci RAM danych:	1 kB
Napięcie zasilania — min:	1,8 V
Napięcie zasilania — maks:	5,5 V
Minimalna temperatura pracy:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 85 C
opakowanie:	MyszReel
Marka:	Wiszaj
Typ pamięci RAM danych:	SRAM
Rozmiar pamięci ROM danych:	512 b

Stockowy układ pamięci Vishay IC Ic IS62WV51216BLL-55TLI obsługuje IC BOM

Zdjęcie IC (komponenty elektroniczne obsługa układu pamięci IC BOM) IS62WV51216BLL-55TLI Stockowy układ pamięci Vishay IC Ic IS62WV51216BLL-55TLI obsługuje IC BOM 0

Stockowy układ pamięci Vishay IC Ic IS62WV51216BLL-55TLI obsługuje IC BOM 1

Stockowy układ pamięci Vishay IC Ic IS62WV51216BLL-55TLI obsługuje IC BOM 2

MT41K256M16TW-107 IT:P

Numer katalogowy klucza cyfrowego
SI2301CDS-T1-GE3TR-ND — taśma i szpula (TR)
SI2301CDS-T1-GE3CT-ND — taśma cięta (CT)
SI2301CDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent
Vishay Siliconix
Numer produktu producenta
SI2301CDS-T1-GE3
Opis
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
szczegółowy opis
Kanał P 20 V 3,1 A (Tc) 860 mW (Ta), 1,6 W (Tc) Montaż powierzchniowy SOT-23-3 (TO-236)

	
			Producent:

			Wiszaj

			Kategoria produktu:

			MOSFET

			RoHS:

			Detale

			Technologia:

			Si

			Styl montażu:

			SMD/SMT

			Opakowanie / etui:

			SOT-23-3

			Polaryzacja tranzystora:

			Kanał P

			Liczba kanałów:

			1 kanał

			Vds — napięcie przebicia dren-źródło:

			20 V

			Id — ciągły prąd drenu:

			3.1A

			Rds On – rezystancja drenu-źródła:

			112 megaomów

			Vgs - napięcie bramka-źródło:

			- 8 V, + 8 V

			Vgs th - napięcie progowe bramka-źródło:

			1 V

			Qg — Ładunek bramki:

			3,3 nC

			Minimalna temperatura robocza:

			- 55 C

			Maksymalna temperatura robocza:

			+ 150 C

			Pd — rozpraszanie mocy:

			1,6 W

			Tryb kanału:

			Wzmocnienie

			Nazwa handlowa:

			TrenchFET

			Seria:

			SI2

			Opakowanie:

			Rolka

			Opakowanie:

			Wytnij taśmę

			Opakowanie:

			MyszReel

			Marka:

			Półprzewodniki firmy Vishay

			Konfiguracja:

			Pojedynczy

			Czas upadku:

			10 ns

			Rodzaj produktu:

			MOSFET

			Czas narastania:

			35 ns

			Fabryczna ilość w opakowaniu:

			3000

			Podkategoria:

			MOSFETy

			Typ tranzystora:

			1 kanał P

			Typowy czas opóźnienia wyłączenia:

			30 sekund

			Typowy czas opóźnienia włączenia:

			11 ns

			Część # Aliasy:

			SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-GE3

			Masa jednostkowa:

			0,000282 uncji

 
Często zadawane pytaniaP1: O wycenie IC BOM?A1: Firma posiada kanały zaopatrzenia oryginalnych producentów układów scalonych w kraju i za granicą oraz profesjonalny zespół analizy rozwiązań produktowych w celu wybrania wysokiej jakości, tanich komponentów elektronicznych dla klientów.
P2: Oferta na rozwiązania PCB i PCBA? 
A2: Profesjonalny zespół firmy przeanalizuje zakres zastosowań rozwiązań PCB i PCBA dostarczonych przez klienta oraz wymagania dotyczące parametrów każdego elementu elektronicznego, a ostatecznie zapewni klientom wysokiej jakości i tanie rozwiązania ofertowe.
P3: O projekcie chipa do gotowego produktu?
A3: Posiadamy kompletny zestaw do projektowania płytek, produkcji płytek, testowania płytek, pakowania i integracji układów scalonych oraz usług kontroli produktów IC.
P4: Czy nasza firma ma wymagania dotyczące minimalnej ilości zamówienia (MOQ)?
A4: Nie, nie mamy wymogu MOQ, możemy wspierać Twoje projekty, począwszy od prototypów po produkcję masową.
P5: Jak zapewnić, że informacje o klientach nie wyciekną? 
O5: Jesteśmy gotowi podpisać efekt NDA zgodnie z lokalnymi przepisami po stronie klienta i obiecujemy zachować wysoki poziom poufności danych klientów.

Tags:

Producent:	Wiszaj
Kategoria produktu:	MOSFET
RoHS:	Detale
Technologia:	Si
Styl montażu:	SMD/SMT
Opakowanie / etui:	SOT-23-3
Polaryzacja tranzystora:	Kanał P
Liczba kanałów:	1 kanał
Vds — napięcie przebicia dren-źródło:	20 V
Id — ciągły prąd drenu:	3.1A
Rds On – rezystancja drenu-źródła:	112 megaomów
Vgs - napięcie bramka-źródło:	- 8 V, + 8 V
Vgs th - napięcie progowe bramka-źródło:	1 V
Qg — Ładunek bramki:	3,3 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd — rozpraszanie mocy:	1,6 W
Tryb kanału:	Wzmocnienie
Nazwa handlowa:	TrenchFET
Seria:	SI2
Opakowanie:	Rolka
Opakowanie:	Wytnij taśmę
Opakowanie:	MyszReel
Marka:	Półprzewodniki firmy Vishay
Konfiguracja:	Pojedynczy
Czas upadku:	10 ns
Rodzaj produktu:	MOSFET
Czas narastania:	35 ns
Fabryczna ilość w opakowaniu:	3000
Podkategoria:	MOSFETy
Typ tranzystora:	1 kanał P
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	30 sekund
Typowy czas opóźnienia włączenia:	11 ns
Część # Aliasy:	SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-GE3
Masa jednostkowa:	0,000282 uncji

Układy scalone komponentów elektronicznych

ST ICS

RENESAS IC

Urządzenia analogowe ADI

Firma Texas Instruments National Semiconductor

ON Semiconductor Fairchild

Półprzewodnik Freescale

Vishay IC

Komponenty elektroniczne Infineon

Układy scalone IC

AOS IC

Komponenty elektroniczne firmy Atmel

Altera Chip

Xilinx IC

Mikrokontroler MCU

Micron ISSI Samsung

Tranzystor diodowy triodowy

ROHM UTC ICS

Układ scalony mikroczipa

Rezystory i kondensatory

Stockowy układ pamięci Vishay IC Ic IS62WV51216BLL-55TLI obsługuje IC BOM

Zdjęcie Vishay IC

układ pamięci Ic IS62WV51216BLL-55TLI

układ pamięci Ic BOM

Często zadawane pytania

SI2302ADS-T1-E3 Vishay IC,

MOSFET-TC4424AVOA713 Vishay IC,

Układy scalone komponentów elektronicznych

ST ICS

RENESAS IC

Urządzenia analogowe ADI

Firma Texas Instruments National Semiconductor

ON Semiconductor Fairchild

Półprzewodnik Freescale