Szczegóły produktu
Miejsce pochodzenia: MOJE;GUA
Nazwa handlowa: Original Brand
Numer modelu: IRFB4110PBF
Warunki płatności i wysyłki
Cena: $0.60/pieces 1-99 pieces
Szczegóły pakowania: Standardowy
Możliwość Supply: 10000 sztuk / sztuk na tydzień
Rodzaj: |
IGBT Transistor, Triod Transistor, chipy IC |
Temperatura pracy: |
-55°C ~ 175°C (TJ), Standrad |
Rodzaj montażu: |
Przez dziurę |
Opis: |
zero |
D/C: |
Na stanie |
Rodzaj opakowania: |
Oryginalny pakiet |
Zastosowanie: |
Standardowe produkty elektroniczne |
Rodzaj dostawcy: |
Pozostałe |
Odsyłacz: |
zero |
Dostępne media: |
Pozostałe |
Marka: |
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB |
Prąd - kolektor (Ic) (maks.): |
zero |
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.): |
zero |
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic: |
zero |
Prąd — odcięcie kolektora (maks.): |
zero |
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce: |
zero |
Moc — maks: |
zero |
Częstotliwość - Przejście: |
zero |
Opakowanie / Pudełko: |
DO-220-3 |
Rezystor - Baza (R1): |
zero |
Rezystor – podstawa emitera (R2): |
zero |
Typ FET: |
Kanał N |
Funkcja FET: |
zero |
Napięcie od drenu do źródła (Vdss): |
100 V |
Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C: |
120A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
4.5mOhm @ 75A, 10V |
Vgs(th) (Maks.) @ Id: |
4V @ 250A |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs: |
210nC @ 10V |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: |
9620 pF przy 50 V |
Częstotliwość: |
zero |
Prąd znamionowy (ampery): |
zero |
Rysunek hałasu: |
zero |
Moc - Wyjście: |
zero |
Napięcie — znamionowe: |
zero |
Napięcie napędu (maks. wł. wł., min wł. wł.): |
10V |
Vgs (maks.): |
±20 V |
Typ IGBT: |
zero |
Konfiguracja: |
zero |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: |
zero |
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce: |
zero |
Wpływ: |
zero |
Termistor NTC: |
zero |
Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): |
zero |
Prąd — drenaż (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
zero |
Pobór prądu (Id) — maks: |
zero |
Napięcie — odcięcie (VGS wyłączone) @ Id: |
zero |
Rezystancja — RDS (wł.): |
zero |
napięcie: |
zero |
Napięcie - Wyjście: |
zero |
Napięcie — przesunięcie (Vt): |
zero |
Prąd – wyciek od bramki do anody (Igao): |
zero |
Prąd - Dolina (Iv): |
zero |
Obecny - Szczyt: |
zero |
Wnioski: |
zero |
Typ tranzystora: |
Tranzystor mocy RF mrf150 |
Warunki: |
Oryginalny 100% |
Jakość: |
Wysokiej jakości |
RoHS: |
- Tak, tak. |
Zapłata: |
TT\Western Union\Więcej |
Wysyłka wg: |
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post\Więcej |
Opakowanie: |
Pakowanie na stojaku |
MOQ: |
1 PCS |
Cena: |
pls contact us |
Port: |
Shenzhen |
Rodzaj: |
IGBT Transistor, Triod Transistor, chipy IC |
Temperatura pracy: |
-55°C ~ 175°C (TJ), Standrad |
Rodzaj montażu: |
Przez dziurę |
Opis: |
zero |
D/C: |
Na stanie |
Rodzaj opakowania: |
Oryginalny pakiet |
Zastosowanie: |
Standardowe produkty elektroniczne |
Rodzaj dostawcy: |
Pozostałe |
Odsyłacz: |
zero |
Dostępne media: |
Pozostałe |
Marka: |
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB |
Prąd - kolektor (Ic) (maks.): |
zero |
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.): |
zero |
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic: |
zero |
Prąd — odcięcie kolektora (maks.): |
zero |
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce: |
zero |
Moc — maks: |
zero |
Częstotliwość - Przejście: |
zero |
Opakowanie / Pudełko: |
DO-220-3 |
Rezystor - Baza (R1): |
zero |
Rezystor – podstawa emitera (R2): |
zero |
Typ FET: |
Kanał N |
Funkcja FET: |
zero |
Napięcie od drenu do źródła (Vdss): |
100 V |
Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C: |
120A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
4.5mOhm @ 75A, 10V |
Vgs(th) (Maks.) @ Id: |
4V @ 250A |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs: |
210nC @ 10V |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: |
9620 pF przy 50 V |
Częstotliwość: |
zero |
Prąd znamionowy (ampery): |
zero |
Rysunek hałasu: |
zero |
Moc - Wyjście: |
zero |
Napięcie — znamionowe: |
zero |
Napięcie napędu (maks. wł. wł., min wł. wł.): |
10V |
Vgs (maks.): |
±20 V |
Typ IGBT: |
zero |
Konfiguracja: |
zero |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: |
zero |
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce: |
zero |
Wpływ: |
zero |
Termistor NTC: |
zero |
Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): |
zero |
Prąd — drenaż (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
zero |
Pobór prądu (Id) — maks: |
zero |
Napięcie — odcięcie (VGS wyłączone) @ Id: |
zero |
Rezystancja — RDS (wł.): |
zero |
napięcie: |
zero |
Napięcie - Wyjście: |
zero |
Napięcie — przesunięcie (Vt): |
zero |
Prąd – wyciek od bramki do anody (Igao): |
zero |
Prąd - Dolina (Iv): |
zero |
Obecny - Szczyt: |
zero |
Wnioski: |
zero |
Typ tranzystora: |
Tranzystor mocy RF mrf150 |
Warunki: |
Oryginalny 100% |
Jakość: |
Wysokiej jakości |
RoHS: |
- Tak, tak. |
Zapłata: |
TT\Western Union\Więcej |
Wysyłka wg: |
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post\Więcej |
Opakowanie: |
Pakowanie na stojaku |
MOQ: |
1 PCS |
Cena: |
pls contact us |
Port: |
Shenzhen |
Mamy chipy. | ||||||
Obwody zintegrowane | Układy integracyjne porównawcze | Koder-dekoder | Interfejsy dotykowe | |||
Układy integracyjne odniesienia napięcia | Wzmacniacz | Zresetowanie detektora IC | IC wzmacniacza mocy | |||
IC do przetwarzania podczerwieni | Chip interfejsu | Chip Bluetooth | Boost i Buck Chips | |||
Chipy czasowe | Chipy komunikacyjne zegara | IC nadajnika | Bezprzewodowy układ stacjonarny | |||
Rezystor chipów | Chip pamięci masowej 2 | Chip Ethernet | Obwody zintegrowane | |||
