Szczegóły produktu
Miejsce pochodzenia: Guangdong, Chiny
Nazwa handlowa: original
Numer modelu: IRF3710PBF
Warunki płatności i wysyłki
Minimalne zamówienie: 10 sztuk
Cena: $0.30/pieces 10-99 pieces
Szczegóły pakowania: Opakowanie antystatyczne
Możliwość Supply: 1000 sztuk / sztuk na tydzień
Rodzaj: |
CHIP IC, tranzystor polowy, tranzystor IGBT |
Temperatura pracy: |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Zestaw: |
/ |
Rodzaj montażu: |
Przez dziurę |
Opis: |
/ |
D/C: |
22+ |
Rodzaj opakowania: |
Przez otwór |
Zastosowanie: |
tranzystor irf |
Rodzaj dostawcy: |
pozostałe |
Odsyłacz: |
Nowy |
Dostępne media: |
pozostałe |
Marka: |
MOSFET N-CH 100V 57A TO-220AB |
Prąd - kolektor (Ic) (maks.): |
1.5A |
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.): |
400 V |
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic: |
1,5 V przy 500 mA, 1,5 A |
Prąd — odcięcie kolektora (maks.): |
1mA |
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce: |
5 @ 1A, 2V |
Moc — maks: |
40 W |
Częstotliwość - Przejście: |
Standardowy |
Opakowanie / Pudełko: |
DO-220-3 |
Rezystor - Baza (R1): |
/ |
Rezystor – podstawa emitera (R2): |
/ |
Typ FET: |
Kanał N |
Funkcja FET: |
Standardowy |
Napięcie od drenu do źródła (Vdss): |
100 V |
Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C: |
57A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
23 mOhm przy 28 A, 10 V |
Vgs(th) (Maks.) @ Id: |
/ |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs: |
130nC przy 10V |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: |
3130 pF przy 25 V |
Częstotliwość: |
/ |
Prąd znamionowy (ampery): |
/ |
Rysunek hałasu: |
/ |
Moc - Wyjście: |
/ |
Napięcie — znamionowe: |
/ |
Napięcie napędu (maks. wł. wł., min wł. wł.): |
10V |
Vgs (maks.): |
±20 V |
Typ IGBT: |
/ |
Konfiguracja: |
/ |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: |
/ |
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce: |
/ |
Wpływ: |
/ |
Termistor NTC: |
/ |
Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): |
/ |
Prąd — drenaż (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
/ |
Pobór prądu (Id) — maks: |
/ |
Napięcie — odcięcie (VGS wyłączone) @ Id: |
/ |
Rezystancja — RDS (wł.): |
/ |
napięcie: |
/ |
Napięcie - Wyjście: |
/ |
Napięcie — przesunięcie (Vt): |
/ |
Prąd – wyciek od bramki do anody (Igao): |
/ |
Prąd - Dolina (Iv): |
/ |
Obecny - Szczyt: |
/ |
Wnioski: |
/ |
Typ tranzystora: |
Tranzystor mocy RF mrf150 |
Port: |
Shenzhen |
Rodzaj: |
CHIP IC, tranzystor polowy, tranzystor IGBT |
Temperatura pracy: |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Zestaw: |
/ |
Rodzaj montażu: |
Przez dziurę |
Opis: |
/ |
D/C: |
22+ |
Rodzaj opakowania: |
Przez otwór |
Zastosowanie: |
tranzystor irf |
Rodzaj dostawcy: |
pozostałe |
Odsyłacz: |
Nowy |
Dostępne media: |
pozostałe |
Marka: |
MOSFET N-CH 100V 57A TO-220AB |
Prąd - kolektor (Ic) (maks.): |
1.5A |
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.): |
400 V |
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic: |
1,5 V przy 500 mA, 1,5 A |
Prąd — odcięcie kolektora (maks.): |
1mA |
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce: |
5 @ 1A, 2V |
Moc — maks: |
40 W |
Częstotliwość - Przejście: |
Standardowy |
Opakowanie / Pudełko: |
DO-220-3 |
Rezystor - Baza (R1): |
/ |
Rezystor – podstawa emitera (R2): |
/ |
Typ FET: |
Kanał N |
Funkcja FET: |
Standardowy |
Napięcie od drenu do źródła (Vdss): |
100 V |
Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C: |
57A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
23 mOhm przy 28 A, 10 V |
Vgs(th) (Maks.) @ Id: |
/ |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs: |
130nC przy 10V |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: |
3130 pF przy 25 V |
Częstotliwość: |
/ |
Prąd znamionowy (ampery): |
/ |
Rysunek hałasu: |
/ |
Moc - Wyjście: |
/ |
Napięcie — znamionowe: |
/ |
Napięcie napędu (maks. wł. wł., min wł. wł.): |
10V |
Vgs (maks.): |
±20 V |
Typ IGBT: |
/ |
Konfiguracja: |
/ |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: |
/ |
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce: |
/ |
Wpływ: |
/ |
Termistor NTC: |
/ |
Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): |
/ |
Prąd — drenaż (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
/ |
Pobór prądu (Id) — maks: |
/ |
Napięcie — odcięcie (VGS wyłączone) @ Id: |
/ |
Rezystancja — RDS (wł.): |
/ |
napięcie: |
/ |
Napięcie - Wyjście: |
/ |
Napięcie — przesunięcie (Vt): |
/ |
Prąd – wyciek od bramki do anody (Igao): |
/ |
Prąd - Dolina (Iv): |
/ |
Obecny - Szczyt: |
/ |
Wnioski: |
/ |
Typ tranzystora: |
Tranzystor mocy RF mrf150 |
Port: |
Shenzhen |
Rodzaje układów scalonych, które posiadamy | ||||||
Układy scalone Komponenty elektroniczne | Układy scalone komparatorów | Koder-Dekoder | Układy scalone dotykowe | |||
Układy scalone napięcia odniesienia | Wzmacniacz | Układ scalony detektora resetu | Układ scalony wzmacniacza mocy | |||
Układ scalony przetwarzania podczerwieni | Układ scalony interfejsu | Układ scalony Bluetooth | Układy scalone Boost i Buck | |||
Układy scalone bazy czasu | Układy scalone komunikacji zegarowej | Układ scalony transceivera | Układ scalony RF bezprzewodowy | |||
Rezystor chipowy | Układ scalony pamięci 2 | Układ scalony Ethernet | Układy scalone Komponenty elektroniczne | |||
