Szczegóły produktu
Miejsce pochodzenia: Guangdong, Chiny
Nazwa handlowa: original
Numer modelu: STW48N60DM2
Warunki płatności i wysyłki
Minimalne zamówienie: 10 sztuk
Cena: $0.22/pieces >=10 pieces
Szczegóły pakowania: Opakowanie antystatyczne
Możliwość Supply: 10000 sztuk / sztuk dziennie
Rodzaj: |
elementy elektroniczne, tranzystor IGBT |
Temperatura pracy: |
Standard |
Zestaw: |
Standard |
Rodzaj montażu: |
Standard |
Opis: |
Tranzystor IGBT |
D/C: |
22+ |
Rodzaj opakowania: |
Standardowy |
Zastosowanie: |
Standard |
Rodzaj dostawcy: |
Pozostałe |
Odsyłacz: |
Standard |
Dostępne media: |
Pozostałe |
Marka: |
Tranzystor |
Prąd - kolektor (Ic) (maks.): |
Standardowy |
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.): |
Standardowy |
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic: |
Standard |
Prąd — odcięcie kolektora (maks.): |
Standardowy |
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce: |
Standardowy |
Moc — maks: |
Standard |
Częstotliwość - Przejście: |
Standardowy |
Opakowanie / Pudełko: |
Standardowy |
Rezystor - Baza (R1): |
Standard |
Rezystor – podstawa emitera (R2): |
Standard |
Typ FET: |
Standard |
Funkcja FET: |
Standard |
Napięcie od drenu do źródła (Vdss): |
Standard |
Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C: |
Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
Standardowy |
Vgs(th) (Maks.) @ Id: |
Standardowy |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs: |
Standard |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: |
Standard |
Częstotliwość: |
Standard |
Prąd znamionowy (ampery): |
Standard |
Rysunek hałasu: |
Standard |
Moc - Wyjście: |
Standardowy |
Napięcie — znamionowe: |
Standard |
Napięcie napędu (maks. wł. wł., min wł. wł.): |
Standard |
Vgs (maks.): |
Standard |
Typ IGBT: |
Standard |
Konfiguracja: |
Standardowy |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: |
Standard |
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce: |
Standardowy |
Wpływ: |
Standard |
Termistor NTC: |
Standardowy |
Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): |
Standardowy |
Prąd — drenaż (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
Standardowy |
Pobór prądu (Id) — maks: |
Standardowy |
Napięcie — odcięcie (VGS wyłączone) @ Id: |
Standard |
Rezystancja — RDS (wł.): |
Standardowy |
napięcie: |
Standardowy |
Napięcie - Wyjście: |
Standard |
Napięcie — przesunięcie (Vt): |
Standardowy |
Prąd – wyciek od bramki do anody (Igao): |
Standardowy |
Prąd - Dolina (Iv): |
Standard |
Obecny - Szczyt: |
Standard |
Wnioski: |
Standard |
Typ tranzystora: |
Tranzystor mocy RF mrf150 |
Port: |
Shenzhen |
Rodzaj: |
elementy elektroniczne, tranzystor IGBT |
Temperatura pracy: |
Standard |
Zestaw: |
Standard |
Rodzaj montażu: |
Standard |
Opis: |
Tranzystor IGBT |
D/C: |
22+ |
Rodzaj opakowania: |
Standardowy |
Zastosowanie: |
Standard |
Rodzaj dostawcy: |
Pozostałe |
Odsyłacz: |
Standard |
Dostępne media: |
Pozostałe |
Marka: |
Tranzystor |
Prąd - kolektor (Ic) (maks.): |
Standardowy |
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.): |
Standardowy |
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic: |
Standard |
Prąd — odcięcie kolektora (maks.): |
Standardowy |
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce: |
Standardowy |
Moc — maks: |
Standard |
Częstotliwość - Przejście: |
Standardowy |
Opakowanie / Pudełko: |
Standardowy |
Rezystor - Baza (R1): |
Standard |
Rezystor – podstawa emitera (R2): |
Standard |
Typ FET: |
Standard |
Funkcja FET: |
Standard |
Napięcie od drenu do źródła (Vdss): |
Standard |
Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C: |
Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
Standardowy |
Vgs(th) (Maks.) @ Id: |
Standardowy |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs: |
Standard |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: |
Standard |
Częstotliwość: |
Standard |
Prąd znamionowy (ampery): |
Standard |
Rysunek hałasu: |
Standard |
Moc - Wyjście: |
Standardowy |
Napięcie — znamionowe: |
Standard |
Napięcie napędu (maks. wł. wł., min wł. wł.): |
Standard |
Vgs (maks.): |
Standard |
Typ IGBT: |
Standard |
Konfiguracja: |
Standardowy |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: |
Standard |
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce: |
Standardowy |
Wpływ: |
Standard |
Termistor NTC: |
Standardowy |
Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): |
Standardowy |
Prąd — drenaż (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
Standardowy |
Pobór prądu (Id) — maks: |
Standardowy |
Napięcie — odcięcie (VGS wyłączone) @ Id: |
Standard |
Rezystancja — RDS (wł.): |
Standardowy |
napięcie: |
Standardowy |
Napięcie - Wyjście: |
Standard |
Napięcie — przesunięcie (Vt): |
Standardowy |
Prąd – wyciek od bramki do anody (Igao): |
Standardowy |
Prąd - Dolina (Iv): |
Standard |
Obecny - Szczyt: |
Standard |
Wnioski: |
Standard |
Typ tranzystora: |
Tranzystor mocy RF mrf150 |
Port: |
Shenzhen |
Mamy chipy. | ||||||
Obwody zintegrowane | Układy integracyjne porównawcze | Koder-dekoder | Interfejsy dotykowe | |||
Układy integracyjne odniesienia napięcia | Wzmacniacz | Zresetowanie detektora IC | IC wzmacniacza mocy | |||
IC do przetwarzania podczerwieni | Chip interfejsu | Chip Bluetooth | Boost i Buck Chips | |||
Chipy czasowe | Chipy komunikacyjne zegara | IC nadajnika | Bezprzewodowy układ stacjonarny | |||
Rezystor chipów | Chip pamięci masowej 2 | Chip Ethernet | Obwody zintegrowane | |||
