Szczegóły produktu
Miejsce pochodzenia: Guangdong, Chiny
Nazwa handlowa: original
Numer modelu: Bt151-500r
Warunki płatności i wysyłki
Cena: $0.98/pieces 1-99 pieces
Szczegóły pakowania: ESD/Pustka/Piana/Kartony
Możliwość Supply: 88888 szt./szt. na miesiąc
Rodzaj: |
Tranzystor, tranzystor IGBT |
Temperatura pracy: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Zestaw: |
SCR 500V 12A TO220AB BT151-500R BT151 |
Rodzaj montażu: |
/, Przez otwór |
Opis: |
TO220AB |
D/C: |
- |
Rodzaj opakowania: |
Przez otwór |
Zastosowanie: |
- |
Rodzaj dostawcy: |
Oryginalny producent, ODM, Agencja, Sprzedawca |
Odsyłacz: |
Standardowy |
Dostępne media: |
karta katalogowa, fot |
Marka: |
Bt151-500r |
Prąd - kolektor (Ic) (maks.): |
- |
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.): |
- |
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic: |
- |
Prąd — odcięcie kolektora (maks.): |
- |
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce: |
- |
Moc — maks: |
- |
Częstotliwość - Przejście: |
- |
Opakowanie / Pudełko: |
DO-220-3 |
Rezystor - Baza (R1): |
- |
Rezystor – podstawa emitera (R2): |
- |
Typ FET: |
- |
Funkcja FET: |
- |
Napięcie od drenu do źródła (Vdss): |
- |
Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C: |
- |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
- |
Vgs(th) (Maks.) @ Id: |
- |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs: |
- |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: |
- |
Częstotliwość: |
- |
Prąd znamionowy (ampery): |
- |
Rysunek hałasu: |
- |
Moc - Wyjście: |
- |
Napięcie — znamionowe: |
- |
Napięcie napędu (maks. wł. wł., min wł. wł.): |
- |
Vgs (maks.): |
- |
Typ IGBT: |
- |
Konfiguracja: |
- |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: |
- |
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce: |
- |
Wpływ: |
- |
Termistor NTC: |
- |
Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): |
- |
Prąd — drenaż (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
- |
Pobór prądu (Id) — maks: |
- |
Napięcie — odcięcie (VGS wyłączone) @ Id: |
- |
Rezystancja — RDS (wł.): |
- |
napięcie: |
- |
Napięcie - Wyjście: |
- |
Napięcie — przesunięcie (Vt): |
- |
Prąd – wyciek od bramki do anody (Igao): |
- |
Prąd - Dolina (Iv): |
- |
Obecny - Szczyt: |
- |
Wnioski: |
- |
Typ tranzystora: |
Tranzystor mocy RF mrf150 |
Prąd — udar inny niż rep. 50, 60 Hz (Itsm): |
120A, 132A |
Napięcie — stan wyłączenia: |
500 V |
Napięcie — wyzwalacz bramki (Vgt) (maks.): |
1,5 V |
Prąd – wyzwalacz bramki (Igt) (maks.): |
15mA |
Napięcie — stan włączenia (Vtm) (maks.): |
1,75 V |
Prąd — stan włączenia (It (AV)) (maks.): |
7,5A |
Prąd — stan włączenia (It (RMS)) (maks.): |
12A |
Numer produktu podstawowego: |
BT1pozycja |
Port: |
Shenzhen |
Rodzaj: |
Tranzystor, tranzystor IGBT |
Temperatura pracy: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Zestaw: |
SCR 500V 12A TO220AB BT151-500R BT151 |
Rodzaj montażu: |
/, Przez otwór |
Opis: |
TO220AB |
D/C: |
- |
Rodzaj opakowania: |
Przez otwór |
Zastosowanie: |
- |
Rodzaj dostawcy: |
Oryginalny producent, ODM, Agencja, Sprzedawca |
Odsyłacz: |
Standardowy |
Dostępne media: |
karta katalogowa, fot |
Marka: |
Bt151-500r |
Prąd - kolektor (Ic) (maks.): |
- |
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.): |
- |
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic: |
- |
Prąd — odcięcie kolektora (maks.): |
- |
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce: |
- |
Moc — maks: |
- |
Częstotliwość - Przejście: |
- |
Opakowanie / Pudełko: |
DO-220-3 |
Rezystor - Baza (R1): |
- |
Rezystor – podstawa emitera (R2): |
- |
Typ FET: |
- |
Funkcja FET: |
- |
Napięcie od drenu do źródła (Vdss): |
- |
Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C: |
- |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
- |
Vgs(th) (Maks.) @ Id: |
- |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs: |
- |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: |
- |
Częstotliwość: |
- |
Prąd znamionowy (ampery): |
- |
Rysunek hałasu: |
- |
Moc - Wyjście: |
- |
Napięcie — znamionowe: |
- |
Napięcie napędu (maks. wł. wł., min wł. wł.): |
- |
Vgs (maks.): |
- |
Typ IGBT: |
- |
Konfiguracja: |
- |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: |
- |
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce: |
- |
Wpływ: |
- |
Termistor NTC: |
- |
Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): |
- |
Prąd — drenaż (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
- |
Pobór prądu (Id) — maks: |
- |
Napięcie — odcięcie (VGS wyłączone) @ Id: |
- |
Rezystancja — RDS (wł.): |
- |
napięcie: |
- |
Napięcie - Wyjście: |
- |
Napięcie — przesunięcie (Vt): |
- |
Prąd – wyciek od bramki do anody (Igao): |
- |
Prąd - Dolina (Iv): |
- |
Obecny - Szczyt: |
- |
Wnioski: |
- |
Typ tranzystora: |
Tranzystor mocy RF mrf150 |
Prąd — udar inny niż rep. 50, 60 Hz (Itsm): |
120A, 132A |
Napięcie — stan wyłączenia: |
500 V |
Napięcie — wyzwalacz bramki (Vgt) (maks.): |
1,5 V |
Prąd – wyzwalacz bramki (Igt) (maks.): |
15mA |
Napięcie — stan włączenia (Vtm) (maks.): |
1,75 V |
Prąd — stan włączenia (It (AV)) (maks.): |
7,5A |
Prąd — stan włączenia (It (RMS)) (maks.): |
12A |
Numer produktu podstawowego: |
BT1pozycja |
Port: |
Shenzhen |
Mamy chipy. | ||||||
Obwody zintegrowane | Układy integracyjne porównawcze | Koder-dekoder | Interfejsy dotykowe | |||
Układy integracyjne odniesienia napięcia | Wzmacniacz | Zresetowanie detektora IC | IC wzmacniacza mocy | |||
IC do przetwarzania podczerwieni | Chip interfejsu | Chip Bluetooth | Boost i Buck Chips | |||
Chipy czasowe | Chipy komunikacyjne zegara | IC nadajnika | Bezprzewodowy układ stacjonarny | |||
Rezystor chipów | Chip pamięci masowej 2 | Chip Ethernet | Obwody zintegrowane | |||
