Kategoria: |
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory JFET |
Typ FET: |
Kanał N |
Status produktu: |
Aktywny |
Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): |
30 V |
Rodzaj montażu: |
Przez dziurę |
Pakiet: |
Torba |
Zestaw: |
- |
Prąd — drenaż (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
50 mA przy 20 V |
Mfr: |
NTE Electronics, Inc. |
Zestaw urządzeń dostawcy: |
TO-92 |
Opakowanie / Pudełko: |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Moc — maks: |
310 mW |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: |
10 pF przy 12 V |
Rezystancja — RDS (wł.): |
30 omów |
Napięcie od drenu do źródła (Vdss): |
30 V |
Temperatura pracy: |
-65°C ~ 150°C (TJ) |
Kategoria: |
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory JFET |
Typ FET: |
Kanał N |
Status produktu: |
Aktywny |
Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): |
30 V |
Rodzaj montażu: |
Przez dziurę |
Pakiet: |
Torba |
Zestaw: |
- |
Prąd — drenaż (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
50 mA przy 20 V |
Mfr: |
NTE Electronics, Inc. |
Zestaw urządzeń dostawcy: |
TO-92 |
Opakowanie / Pudełko: |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Moc — maks: |
310 mW |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: |
10 pF przy 12 V |
Rezystancja — RDS (wł.): |
30 omów |
Napięcie od drenu do źródła (Vdss): |
30 V |
Temperatura pracy: |
-65°C ~ 150°C (TJ) |