logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
produkty
produkty

2SK11030QL

Szczegóły produktu

Warunki płatności i wysyłki

Opis: JFET N-CH 20MA MINI3-G1

Najlepszą cenę
Podkreślić:
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory JFET
Typ FET:
Kanał N
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Taśma i rolka (TR) Taśma cięcia (CT) Digi-Reel®
Zestaw:
-
Prąd — drenaż (Idss) @ Vds (Vgs=0):
600 µA przy 10 V
Mfr:
Komponenty elektroniczne Panasonic
Napięcie — odcięcie (VGS wyłączone) @ Id:
1,5 V przy 10 µA
Zestaw urządzeń dostawcy:
Mini3-G1
Pobór prądu (Id) — maks:
20mA
Temperatura pracy:
150°C (TJ)
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:
7 pF przy 10 V
Moc — maks:
150 mW
Opakowanie / Pudełko:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rezystancja — RDS (wł.):
300 omów
Numer produktu podstawowego:
2SK1103
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory JFET
Typ FET:
Kanał N
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Taśma i rolka (TR) Taśma cięcia (CT) Digi-Reel®
Zestaw:
-
Prąd — drenaż (Idss) @ Vds (Vgs=0):
600 µA przy 10 V
Mfr:
Komponenty elektroniczne Panasonic
Napięcie — odcięcie (VGS wyłączone) @ Id:
1,5 V przy 10 µA
Zestaw urządzeń dostawcy:
Mini3-G1
Pobór prądu (Id) — maks:
20mA
Temperatura pracy:
150°C (TJ)
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:
7 pF przy 10 V
Moc — maks:
150 mW
Opakowanie / Pudełko:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rezystancja — RDS (wł.):
300 omów
Numer produktu podstawowego:
2SK1103
2SK11030QL
JFET N-Channel 20 mA 150 mW Nawierzchnia Mini3-G1