Kategoria: |
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory JFET |
Typ FET: |
Kanał P |
Status produktu: |
Aktywny |
Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): |
30 V |
Rodzaj montażu: |
Powierzchnia |
Pakiet: |
Wyroby masowe |
Zestaw: |
Wojskowy, MIL-PRF-19500 |
Prąd — drenaż (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
15 mA przy 15 V |
Mfr: |
Technologia mikroczipów |
Napięcie — odcięcie (VGS wyłączone) @ Id: |
3 V przy 1 nA |
Zestaw urządzeń dostawcy: |
UB |
Opakowanie / Pudełko: |
3-SMD, bez ołowiu |
Moc — maks: |
500 mW |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: |
25 pF przy 15 V |
Rezystancja — RDS (wł.): |
100 omów |
Napięcie od drenu do źródła (Vdss): |
30 V |
Temperatura pracy: |
-65°C ~ 200°C (TJ) |
Kategoria: |
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory JFET |
Typ FET: |
Kanał P |
Status produktu: |
Aktywny |
Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): |
30 V |
Rodzaj montażu: |
Powierzchnia |
Pakiet: |
Wyroby masowe |
Zestaw: |
Wojskowy, MIL-PRF-19500 |
Prąd — drenaż (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
15 mA przy 15 V |
Mfr: |
Technologia mikroczipów |
Napięcie — odcięcie (VGS wyłączone) @ Id: |
3 V przy 1 nA |
Zestaw urządzeń dostawcy: |
UB |
Opakowanie / Pudełko: |
3-SMD, bez ołowiu |
Moc — maks: |
500 mW |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: |
25 pF przy 15 V |
Rezystancja — RDS (wł.): |
100 omów |
Napięcie od drenu do źródła (Vdss): |
30 V |
Temperatura pracy: |
-65°C ~ 200°C (TJ) |