Kategoria: |
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory JFET |
Typ FET: |
Kanał P |
Status produktu: |
Aktywny |
Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): |
30 V |
Rodzaj montażu: |
Przez dziurę |
Pakiet: |
Torba |
Zestaw: |
- |
Prąd — drenaż (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
20 mA przy 15 V |
Mfr: |
NTE Electronics, Inc |
Napięcie — odcięcie (VGS wyłączone) @ Id: |
5 V przy 10 nA |
Zestaw urządzeń dostawcy: |
TO-92 |
Opakowanie / Pudełko: |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Temperatura pracy: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: |
5,5 pF przy 10 V |
Moc — maks: |
350 mW |
Rezystancja — RDS (wł.): |
85 omów |
Kategoria: |
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory JFET |
Typ FET: |
Kanał P |
Status produktu: |
Aktywny |
Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): |
30 V |
Rodzaj montażu: |
Przez dziurę |
Pakiet: |
Torba |
Zestaw: |
- |
Prąd — drenaż (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
20 mA przy 15 V |
Mfr: |
NTE Electronics, Inc |
Napięcie — odcięcie (VGS wyłączone) @ Id: |
5 V przy 10 nA |
Zestaw urządzeń dostawcy: |
TO-92 |
Opakowanie / Pudełko: |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Temperatura pracy: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: |
5,5 pF przy 10 V |
Moc — maks: |
350 mW |
Rezystancja — RDS (wł.): |
85 omów |