Kategoria: |
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory JFET |
Typ FET: |
Kanał P |
Status produktu: |
Aktywny |
Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): |
30 V |
Rodzaj montażu: |
Przez dziurę |
Pakiet: |
Pudełko |
Zestaw: |
- |
Prąd — drenaż (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
5 mA przy 15 V |
Mfr: |
Central Semiconductor Corp. |
Napięcie — odcięcie (VGS wyłączone) @ Id: |
1 V przy 1 nA |
Zestaw urządzeń dostawcy: |
DO-18 |
Opakowanie / Pudełko: |
TO-206AA, TO-18-3 Metalowa puszka |
Temperatura pracy: |
-65°C ~ 200°C (TJ) |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: |
25 pF przy 15 V |
Moc — maks: |
500 mW |
Rezystancja — RDS (wł.): |
150 omów |
Kategoria: |
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory JFET |
Typ FET: |
Kanał P |
Status produktu: |
Aktywny |
Napięcie - Awaria (V(BR)GSS): |
30 V |
Rodzaj montażu: |
Przez dziurę |
Pakiet: |
Pudełko |
Zestaw: |
- |
Prąd — drenaż (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
5 mA przy 15 V |
Mfr: |
Central Semiconductor Corp. |
Napięcie — odcięcie (VGS wyłączone) @ Id: |
1 V przy 1 nA |
Zestaw urządzeń dostawcy: |
DO-18 |
Opakowanie / Pudełko: |
TO-206AA, TO-18-3 Metalowa puszka |
Temperatura pracy: |
-65°C ~ 200°C (TJ) |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: |
25 pF przy 15 V |
Moc — maks: |
500 mW |
Rezystancja — RDS (wł.): |
150 omów |