Szczegóły produktu
Warunki płatności i wysyłki
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Category: |
Discrete Semiconductor Products
Diodes
Rectifiers
Single Diodes |
Status produktu: |
Aktywny |
Current - Reverse Leakage @ Vr: |
5 µA @ 600 V |
Rodzaj montażu: |
Powierzchnia |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: |
1.1 V @ 1 A |
Pakiet: |
Taśma i rolka (TR)
Taśma cięcia (CT)
Digi-Reel® |
Series: |
- |
Pojemność @ Vr, F: |
9 pF przy 4 V, 1 MHz |
Supplier Device Package: |
Sub SMA |
Reverse Recovery Time (trr): |
1.8 µs |
Mfr: |
Taiwan Semiconductor Corporation |
Technology: |
Standard |
Operating Temperature - Junction: |
-55°C ~ 175°C |
Package / Case: |
DO-219AB |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): |
600 V |
Prąd - średni rektyfikowany (Io): |
1A |
Speed: |
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Numer produktu podstawowego: |
S1J |
Category: |
Discrete Semiconductor Products
Diodes
Rectifiers
Single Diodes |
Status produktu: |
Aktywny |
Current - Reverse Leakage @ Vr: |
5 µA @ 600 V |
Rodzaj montażu: |
Powierzchnia |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: |
1.1 V @ 1 A |
Pakiet: |
Taśma i rolka (TR)
Taśma cięcia (CT)
Digi-Reel® |
Series: |
- |
Pojemność @ Vr, F: |
9 pF przy 4 V, 1 MHz |
Supplier Device Package: |
Sub SMA |
Reverse Recovery Time (trr): |
1.8 µs |
Mfr: |
Taiwan Semiconductor Corporation |
Technology: |
Standard |
Operating Temperature - Junction: |
-55°C ~ 175°C |
Package / Case: |
DO-219AB |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): |
600 V |
Prąd - średni rektyfikowany (Io): |
1A |
Speed: |
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Numer produktu podstawowego: |
S1J |