logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

GI751

Szczegóły produktu

Warunki płatności i wysyłki

Opis: DIODA GEN PURP 100V 6A OSIOWA

Najlepszą cenę
Podkreślić:
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody
Status produktu:
Aktywny
Prąd — upływ wsteczny @ Vr:
5 µA przy 100 V
Rodzaj montażu:
Przez dziurę
Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli:
900 mV @ 6 A
Pakiet:
Torba
Zestaw:
-
Pojemność @ Vr, F:
150 pF przy 4 V, 1 MHz
Zestaw urządzeń dostawcy:
Osiowy
Czas przywracania wstecznego (trr):
2,5 µs
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
technologii:
Standard
Temperatura robocza — złącze:
-65°C ~ 175°C
Opakowanie / Pudełko:
Osiowy
Napięcie — prąd stały wsteczny (Vr) (maks.):
100 V
Prąd - średni rektyfikowany (Io):
6A
Prędkość:
Standardowe odzyskiwanie >500ns, >200mA (Io)
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody
Status produktu:
Aktywny
Prąd — upływ wsteczny @ Vr:
5 µA przy 100 V
Rodzaj montażu:
Przez dziurę
Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli:
900 mV @ 6 A
Pakiet:
Torba
Zestaw:
-
Pojemność @ Vr, F:
150 pF przy 4 V, 1 MHz
Zestaw urządzeń dostawcy:
Osiowy
Czas przywracania wstecznego (trr):
2,5 µs
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
technologii:
Standard
Temperatura robocza — złącze:
-65°C ~ 175°C
Opakowanie / Pudełko:
Osiowy
Napięcie — prąd stały wsteczny (Vr) (maks.):
100 V
Prąd - średni rektyfikowany (Io):
6A
Prędkość:
Standardowe odzyskiwanie >500ns, >200mA (Io)
GI751
Dioda 100 V 6A poprzez oś otworu