logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

MUR1100ERLG

Szczegóły produktu

Warunki płatności i wysyłki

Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Najlepszą cenę
Podkreślić:
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Status produktu:
Aktywny
Current - Reverse Leakage @ Vr:
10 µA @ 1000 V
Rodzaj montażu:
Przez dziurę
Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli:
1,75 V przy 1 A
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Zestaw:
TRYB PRZEŁĄCZANIA™
Pojemność @ Vr, F:
-
Supplier Device Package:
Axial
Reverse Recovery Time (trr):
100 ns
Mfr:
ONSEM
Technology:
Standard
Temperatura robocza — złącze:
-65°C ~ 175°C
Opakowanie / Pudełko:
DO-204AL, DO-41, Osiowy
Napięcie — prąd stały wsteczny (Vr) (maks.):
1000 W
Prąd - średni rektyfikowany (Io):
1A
Prędkość:
Szybkie odzyskiwanie =< 500ns, > 200mA (Io)
Numer produktu podstawowego:
Mur1100
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Status produktu:
Aktywny
Current - Reverse Leakage @ Vr:
10 µA @ 1000 V
Rodzaj montażu:
Przez dziurę
Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli:
1,75 V przy 1 A
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Zestaw:
TRYB PRZEŁĄCZANIA™
Pojemność @ Vr, F:
-
Supplier Device Package:
Axial
Reverse Recovery Time (trr):
100 ns
Mfr:
ONSEM
Technology:
Standard
Temperatura robocza — złącze:
-65°C ~ 175°C
Opakowanie / Pudełko:
DO-204AL, DO-41, Osiowy
Napięcie — prąd stały wsteczny (Vr) (maks.):
1000 W
Prąd - średni rektyfikowany (Io):
1A
Prędkość:
Szybkie odzyskiwanie =< 500ns, > 200mA (Io)
Numer produktu podstawowego:
Mur1100
MUR1100ERLG
Dioda 1000 V 1A poprzez oś otworu