logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

1N4149

Szczegóły produktu

Warunki płatności i wysyłki

Opis: Diode Gen Pute 100V 500MA DO35

Najlepszą cenę
Podkreślić:
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody
Status produktu:
Aktywny
Prąd — upływ wsteczny @ Vr:
25 nA przy 20 V
Rodzaj montażu:
Przez dziurę
Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli:
1 V przy 10 mA
Pakiet:
Torba
Zestaw:
-
Pojemność @ Vr, F:
2 pF przy 0 V, 1 MHz
Zestaw urządzeń dostawcy:
DO-35
Czas przywracania wstecznego (trr):
4 ns
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
technologii:
Standard
Temperatura robocza — złącze:
175°C (maks.)
Opakowanie / Pudełko:
DO-204AH, DO-35, osiowy
Napięcie — prąd stały wsteczny (Vr) (maks.):
100 V
Prąd - średni rektyfikowany (Io):
500mA
Prędkość:
Szybkie odzyskiwanie =< 500ns, > 200mA (Io)
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody
Status produktu:
Aktywny
Prąd — upływ wsteczny @ Vr:
25 nA przy 20 V
Rodzaj montażu:
Przez dziurę
Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli:
1 V przy 10 mA
Pakiet:
Torba
Zestaw:
-
Pojemność @ Vr, F:
2 pF przy 0 V, 1 MHz
Zestaw urządzeń dostawcy:
DO-35
Czas przywracania wstecznego (trr):
4 ns
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
technologii:
Standard
Temperatura robocza — złącze:
175°C (maks.)
Opakowanie / Pudełko:
DO-204AH, DO-35, osiowy
Napięcie — prąd stały wsteczny (Vr) (maks.):
100 V
Prąd - średni rektyfikowany (Io):
500mA
Prędkość:
Szybkie odzyskiwanie =< 500ns, > 200mA (Io)
1N4149
Dioda 100 V 500 mA przez otwór DO-35