Szczegóły produktu
Warunki płatności i wysyłki
Description: SILICON CARBIDE RECTIFIER TO252
Kategoria: |
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody |
Product Status: |
Active |
Current - Reverse Leakage @ Vr: |
170 µA @ 650 V |
Mounting Type: |
Surface Mount |
Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli: |
1.5 V @ 4 A |
Package: |
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel® |
Series: |
- |
Pojemność @ Vr, F: |
184pf @ 100mv, 1MHz |
Supplier Device Package: |
TO-252 (Type WX) |
Mfr: |
Diodes Incorporated |
Technology: |
SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Operating Temperature - Junction: |
-55°C ~ 175°C |
Package / Case: |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): |
650 V |
Prąd - średni rektyfikowany (Io): |
4A |
Speed: |
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Base Product Number: |
DSC04 |
Kategoria: |
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody |
Product Status: |
Active |
Current - Reverse Leakage @ Vr: |
170 µA @ 650 V |
Mounting Type: |
Surface Mount |
Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli: |
1.5 V @ 4 A |
Package: |
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel® |
Series: |
- |
Pojemność @ Vr, F: |
184pf @ 100mv, 1MHz |
Supplier Device Package: |
TO-252 (Type WX) |
Mfr: |
Diodes Incorporated |
Technology: |
SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Operating Temperature - Junction: |
-55°C ~ 175°C |
Package / Case: |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): |
650 V |
Prąd - średni rektyfikowany (Io): |
4A |
Speed: |
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Base Product Number: |
DSC04 |