logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

JAN1N3595US/TR

Szczegóły produktu

Warunki płatności i wysyłki

Opis: DIODE GEN PURP 125V 4A B SQ-MELF

Najlepszą cenę
Podkreślić:
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody
Status produktu:
Aktywny
Temperatura robocza — złącze:
-65°C ~ 150°C
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli:
1 V przy 200 mA
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
-
Pojemność @ Vr, F:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
B, SQ-MELF
Czas przywracania wstecznego (trr):
3 µs
Mfr:
Technologia mikroczipu
technologii:
Standard
Opakowanie / Pudełko:
SQ-MELF, B
Napięcie — prąd stały wsteczny (Vr) (maks.):
125 V
Prąd - średni rektyfikowany (Io):
4A
Prędkość:
Standardowe odzyskiwanie >500ns, >200mA (Io)
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody
Status produktu:
Aktywny
Temperatura robocza — złącze:
-65°C ~ 150°C
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli:
1 V przy 200 mA
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
-
Pojemność @ Vr, F:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
B, SQ-MELF
Czas przywracania wstecznego (trr):
3 µs
Mfr:
Technologia mikroczipu
technologii:
Standard
Opakowanie / Pudełko:
SQ-MELF, B
Napięcie — prąd stały wsteczny (Vr) (maks.):
125 V
Prąd - średni rektyfikowany (Io):
4A
Prędkość:
Standardowe odzyskiwanie >500ns, >200mA (Io)
JAN1N3595US/TR
Dioda 125 V 4A Nawierzchnia B, SQ-MELF