logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

JANS1N5804US/TR

Szczegóły produktu

Warunki płatności i wysyłki

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Najlepszą cenę
Podkreślić:
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
1 µA @ 150 V
Rodzaj montażu:
Przez dziurę
Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli:
975 mV przy 2,5 A
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Series:
Military, MIL-PRF-19500/477
Capacitance @ Vr, F:
25pF @ 10V, 1MHz
Supplier Device Package:
A, Axial
Czas przywracania wstecznego (trr):
25 ns
Mfr:
Technologia mikroczipu
technologii:
Standard
Temperatura robocza — złącze:
-65°C ~ 175°C
Opakowanie / Pudełko:
A, osiowy
Napięcie — prąd stały wsteczny (Vr) (maks.):
100 V
Current - Average Rectified (Io):
1A
Prędkość:
Szybkie odzyskiwanie =< 500ns, > 200mA (Io)
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
1 µA @ 150 V
Rodzaj montażu:
Przez dziurę
Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli:
975 mV przy 2,5 A
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Series:
Military, MIL-PRF-19500/477
Capacitance @ Vr, F:
25pF @ 10V, 1MHz
Supplier Device Package:
A, Axial
Czas przywracania wstecznego (trr):
25 ns
Mfr:
Technologia mikroczipu
technologii:
Standard
Temperatura robocza — złącze:
-65°C ~ 175°C
Opakowanie / Pudełko:
A, osiowy
Napięcie — prąd stały wsteczny (Vr) (maks.):
100 V
Current - Average Rectified (Io):
1A
Prędkość:
Szybkie odzyskiwanie =< 500ns, > 200mA (Io)
JANS1N5804US/TR
Dioda 100 V 1A przez otwór A, osialna