logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

JANS1N5802US/TR

Szczegóły produktu

Warunki płatności i wysyłki

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL

Najlepszą cenę
Podkreślić:
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody
Status produktu:
Aktywny
Temperatura robocza — złącze:
-65°C ~ 175°C
Rodzaj montażu:
Przez dziurę
Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli:
975 mV przy 2,5 A
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
Wojskowy, MIL-PRF-19500/477
Pojemność @ Vr, F:
25 pF przy 10 V, 1 MHz
Zestaw urządzeń dostawcy:
A, osiowy
Czas przywracania wstecznego (trr):
25 ns
Mfr:
Technologia mikroczipu
technologii:
Standard
Opakowanie / Pudełko:
A, osiowy
Napięcie — prąd stały wsteczny (Vr) (maks.):
50 V
Prąd - średni rektyfikowany (Io):
1A
Prędkość:
Szybkie odzyskiwanie =< 500ns, > 200mA (Io)
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody
Status produktu:
Aktywny
Temperatura robocza — złącze:
-65°C ~ 175°C
Rodzaj montażu:
Przez dziurę
Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli:
975 mV przy 2,5 A
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
Wojskowy, MIL-PRF-19500/477
Pojemność @ Vr, F:
25 pF przy 10 V, 1 MHz
Zestaw urządzeń dostawcy:
A, osiowy
Czas przywracania wstecznego (trr):
25 ns
Mfr:
Technologia mikroczipu
technologii:
Standard
Opakowanie / Pudełko:
A, osiowy
Napięcie — prąd stały wsteczny (Vr) (maks.):
50 V
Prąd - średni rektyfikowany (Io):
1A
Prędkość:
Szybkie odzyskiwanie =< 500ns, > 200mA (Io)
JANS1N5802US/TR
Dioda 50 V 1A przez otwór A, osialna