Szczegóły produktu
Miejsce pochodzenia: Guangdong, Chiny
Nazwa handlowa: ALL BRAND
Numer modelu: MJ15022 MJ15023
Warunki płatności i wysyłki
Minimalne zamówienie: 100 kawałków
Cena: $0.31/pieces 100-299 pieces
Szczegóły pakowania: Rolka lub tuba
Możliwość Supply: 10000 sztuk / sztuk dziennie
Rodzaj: |
tranzystor, inne, MOSFET |
Temperatura pracy: |
C |
Rodzaj montażu: |
MJ15022 MJ15023, Otwór przelotowy |
Opis: |
MJ15022 MJ15023 |
Rodzaj opakowania: |
Przez otwór |
Zastosowanie: |
Ogólny cel |
Rodzaj dostawcy: |
Detalista |
Dostępne media: |
karta katalogowa, fot |
Marka: |
Tranzystor |
Prąd - kolektor (Ic) (maks.): |
A |
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.): |
V |
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic: |
N |
Prąd — odcięcie kolektora (maks.): |
N |
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce: |
N |
Moc — maks: |
W |
Częstotliwość - Przejście: |
N |
Opakowanie / Pudełko: |
DO-3 |
Rezystor - Baza (R1): |
R |
Rezystor – podstawa emitera (R2): |
R |
Typ FET: |
N |
Napięcie od drenu do źródła (Vdss): |
V |
Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C: |
A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
N |
Vgs(th) (Maks.) @ Id: |
N |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs: |
N |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: |
N |
Częstotliwość: |
N |
Prąd znamionowy (ampery): |
A |
Rysunek hałasu: |
N |
Moc - Wyjście: |
W |
Napięcie — znamionowe: |
V |
Napięcie napędu (maks. wł. wł., min wł. wł.): |
V |
Vgs (maks.): |
V |
Typ IGBT: |
N |
Wnioski: |
Układy scalone |
Stan wolny od ołowiu: |
Zgodne z wymogami Rohs |
Opakowanie: |
Standardowe opakowanie |
Wysyłka wg: |
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Poczta |
Jakość: |
Gwarancja |
Warunki: |
Zupełnie nowy i oryginalny |
Port: |
Shenzhen |
Rodzaj: |
tranzystor, inne, MOSFET |
Temperatura pracy: |
C |
Rodzaj montażu: |
MJ15022 MJ15023, Otwór przelotowy |
Opis: |
MJ15022 MJ15023 |
Rodzaj opakowania: |
Przez otwór |
Zastosowanie: |
Ogólny cel |
Rodzaj dostawcy: |
Detalista |
Dostępne media: |
karta katalogowa, fot |
Marka: |
Tranzystor |
Prąd - kolektor (Ic) (maks.): |
A |
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.): |
V |
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic: |
N |
Prąd — odcięcie kolektora (maks.): |
N |
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce: |
N |
Moc — maks: |
W |
Częstotliwość - Przejście: |
N |
Opakowanie / Pudełko: |
DO-3 |
Rezystor - Baza (R1): |
R |
Rezystor – podstawa emitera (R2): |
R |
Typ FET: |
N |
Napięcie od drenu do źródła (Vdss): |
V |
Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C: |
A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
N |
Vgs(th) (Maks.) @ Id: |
N |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs: |
N |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: |
N |
Częstotliwość: |
N |
Prąd znamionowy (ampery): |
A |
Rysunek hałasu: |
N |
Moc - Wyjście: |
W |
Napięcie — znamionowe: |
V |
Napięcie napędu (maks. wł. wł., min wł. wł.): |
V |
Vgs (maks.): |
V |
Typ IGBT: |
N |
Wnioski: |
Układy scalone |
Stan wolny od ołowiu: |
Zgodne z wymogami Rohs |
Opakowanie: |
Standardowe opakowanie |
Wysyłka wg: |
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Poczta |
Jakość: |
Gwarancja |
Warunki: |
Zupełnie nowy i oryginalny |
Port: |
Shenzhen |
Mamy chipy. | ||||||
Obwody zintegrowane | Układy integracyjne porównawcze | Koder-dekoder | Interfejsy dotykowe | |||
Układy integracyjne odniesienia napięcia | Wzmacniacz | Zresetowanie detektora IC | IC wzmacniacza mocy | |||
IC do przetwarzania podczerwieni | Chip interfejsu | Chip Bluetooth | Boost i Buck Chips | |||
Chipy czasowe | Chipy komunikacyjne zegara | IC nadajnika | Bezprzewodowy układ stacjonarny | |||
Rezystor chipów | Chip pamięci masowej 2 | Chip Ethernet | Obwody zintegrowane | |||
